白光運用是藍光led芯片的重要，其選用藍光芯片加led防爆燈黃色熒光粉然后構成白光光源。當時，世界led大廠在大功率藍光芯片方面有著較為顯著的優勢，而國內led芯片公司當時首要是在中小功率藍光芯片方面有較大的打開，但因為前幾年的過度出資致使了產能過剩，致使中小功率藍光芯片商場呈現了較為嚴厲的“價格戰”。關于藍光led芯片而言，首要的打開方向為硅基 led防爆燈芯片、高壓led芯片、倒裝led芯片等。關于中小功率led芯片商場而言，當時干流商場的趨勢為0.2-0.5W商場，封裝方法包含2835、 5630以及COB封裝等。關于其它細分范疇，如筆直計劃的芯片，封裝后能夠運用于指向性照明運用，如手電、礦燈、閃光燈、射燈等燈具商品中

高亮度led防爆燈芯片 

當時，半導體照明商場的進一步打開需求藍光led芯片的光效要不斷提高，本錢要不斷下降。當時科銳根據碳化硅的led芯片現已完成了200lm/w光效商品的量產，研制水平光效能夠抵達276lm/w。在led芯片本錢下降和光效提高的這一比賽中，當時正遇到以下幾個打開瓶頸。

第一是藍光芯片存在的Droop效應。在大電流密度條件下，發光二極管的外量子功率會下降，有實驗標明Droop效應是由包含俄歇效應在內的多種緣由致使，這個效應約束了藍光芯片在大電流密度下的運用，led防爆燈然后阻止了流明本錢的下降。

第二是綠色能隙（Green gap）和赤色能隙（Red gap）。當波長從藍光進入到綠光波段時，led的量子功率會下降，如530nm的綠光量子功率下降很快；關于紅光而言，在深赤色光譜中內部量子功率能夠抵達100%，但對志趣白光光源中的橘赤色發光波長（如614nm）而言，其功率活絡下降。這些效應約束了綠光和紅光芯片的光效提高，延緩了將來的高質量白光的發作。別的，綠光及黃光led功率也遭到自身極化場的沖擊， 而這個效應會跟著更高的銦原子濃度而變得更強。

第三是外延的異質成長疑問。因為外延成長時晶體中存在缺點，構成大的位錯密度和缺點，然后致使光效下降和壽數下降。當時藍光芯片無論是碳化硅、藍寶石、硅襯底技術都是異質外延，在襯底和外延晶體之間存在晶格失配致使位錯，一起因為熱膨脹系數的不一樣在外延成長后的降溫過程中發作熱應力，致使外延層呈現缺點、裂紋、晶片曲折等。襯底的質量直接影響著外延層的晶體質量，然后影響光效和壽數。若是選用GaN同質襯底進行外延成長，運用非極性技術，可大極限地削減活性層的缺點，使得led芯片的電流密度比傳統芯片高5-10倍，大幅行進發光功率。據報道首爾半導體選用同質襯底開發的nPola新商品，與當時的led比照，在一樣面積上的亮度高出了5倍，但GaN同質襯底關于led而言仍過于名貴。

整體而言，在藍光led芯片的將來打開上，倒裝芯片、高壓芯片、led防爆燈硅基芯片等都是將來的首要打開趨勢。倒裝芯片因為散熱好能夠增大寫入電流，不必打線能夠提高商品在運用過程中的可靠性；高壓led芯片因為能夠愈加匹配供電電壓能夠行進電源轉換功率，再加上定制的IC電源，適合于led球泡燈；硅基led芯片因為能夠在6寸或許8寸的硅襯底上進行外延成長，能夠大幅度下降led的本錢，然后加快半導體照明運用年代的降臨。led防爆燈關于其它色彩而言，紅光led芯片和綠光led芯片的光效都還有很大的提高空間，跟著紅光和綠光led芯片光效進一步的提高，將來白光不一定便是當時的藍光led芯片加黃色熒光粉的方法，也可能是RGB或其它的方法，將來白光的封裝方法也可能會發作很大的改動。