當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發出能量，而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的（led顯示器）。

一、led防爆燈芯片的特點：

1、四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規芯片要亮。

2、信賴性優良。

3、應用廣泛。

4、安全性高。

5、壽命長。

二、led防爆燈芯片的重要參數：

1.led芯片正向工作電流If：

它是指發光二極體正常發光時的正向電流值。在實際使用中應根據需要選擇IF在0.6·IFm以下。

2.正向工作電壓VF：

參數表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時測得的。發光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。

3.led芯片V-I特性：

發光二極體的電壓與電流的關系，在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時，電流極小，不發光。當電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發光。

4.發光強度IV：

發光二極體的發光強度通常是指法線(對圓柱形發光管是指其軸線)方向上的發光強度。若在該方向上輻射強度為(1/683)W/sr時，則發光1坎德拉(符號為cd)。由于一般led的發光二極管強度小，所以發光強度常用燭光(坎德拉,mcd)作單位。

5.led的發光角度：

-90°-+90°

6.led芯片光譜半寬度Δλ:

它表示發光管的光譜純度。

7.半值角θ1/2和視角：

θ1/2是指發光強度值為軸向強度值一半的方向與發光軸向(法向)的夾角。

8.全形：

根據led發光立體角換算出的角度，也叫平面角。

9.視角：

指led發光的大角度，根據視角不同，應用也不同，也叫光強角。

10.半形：

法向0°與大發光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是大發光強度值與大發光強度值/2所對應的夾角。led的封裝技術導致大發光角度并不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是大發光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。

11.led芯片大正向直流電流IFm：

允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。

12.大反向電壓VRm：

所允許加的大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發光二極體可能被擊穿損壞。

13.led芯片工作環境topm:

發光二極體可正常工作的環境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發光二極體將不能正常工作，效率大大降低。

14.允許功耗Pm:

允許加于led兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，led發熱、損壞。